Intel en Micron claimen een doorbraak in de technologie voor opslaggeheugen, die ssd-schijven en flash-kaartjes duizend keer sneller zou maken.
De nieuwe technologie heet 3D Xpoint, meldt Intel dinsdag.
De nieuwe opslagtechnologie is volgens Intel en Micron de eerste nieuwe categorie geheugen in meer dan 25 jaar. Het geheugen is superieur aan huidig flash-geheugen door zijn hoge dichtheid en snelheid, en mogelijkheid data zonder stroom vast te houden.
Het nieuwe type geheugen combineert volgens Intel de sterke punten van het zogenoemde nand-geheugen dat in onder meer ssd-schijven en flash-kaarten wordt gebruikt met de snelheid van dram-werkgeheugen. Nand-geheugen kan gegevens al zonder stroomtoevoer vasthouden, maar lang niet zo snel beschikbaar stellen als huidig werkgeheugen.
“Al decennialang zoekt de industrie naar manieren om de vertraging tussen de processor en de gegevens te verminderen, om veel snellere analyse mogelijk te maken”, zegt Intel-geheugentopman Rob Crooke. “Deze nieuwe klasse van geheugen bereikt dit doel en zorgt voor baanbrekende prestaties in opslaggeheugen.”
Zelflerende machines en 8k-games
3D Xpoint gebruikt geheugencellen die in een driedimensionaal ruitjespatroon zijn opgebouwd, waardoor de schijven veel dichter zijn opgebouwd. Daardoor staat opgeslagen data dichter op elkaar, en is zo veel sneller uit te lezen.
Intel ziet tal van mogelijkheden voor het nieuwe type geheugen. Zo kan het worden gebruikt voor het spelen van 8K-games, waarbij continu grote hoeveelheden grafische data van het opslaggeheugen naar het werkgeheugen geschreven moet worden.
Ook zou het geheugen gebruikt kunnen worden voor zelflerende machines, die flink kunnen profiteren van een sneller schakelend geheugen. Daarnaast kunnen ziektes volgens Intel beter in kaart worden gebracht met het snellere geheugen.
Nu.nl